IXYX120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц

 

Блок-схема

IXYX120N120C3, IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 1200
Рабочий ток: IC 120
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat) 3.5
td(on) (тип.),нс 37
tr (тип.),нс 70
td(off) (тип.),нс 167
tf (тип.),нс 90
EON (тип.),мДж 6.2
EOFF (тип.),мДж 4.2
PD,Вт 1500
FWD Нет
TA,°C от -55 до 175
Корпус PLUS247

Общее описание

Datasheet
 
IXYx120N120C3 (209 Кб), 25.03.2013

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXYx120N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц (209 Кб), 25.03.2013




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 858
Дата публикации: 25.03.2013 09:42
Дата редактирования: 25.03.2013 09:42


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019