+ STGD3NB60SD, N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

STGD3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™

 

Блок-схема

STGD3NB60SD, N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 3
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 1.5
td(on) (тип.),нс 125000
tr (тип.),нс 150000
tf (тип.),нс 720
EON (тип.),мДж 1100
EOFF (тип.),мДж 1.15
PD,Вт 48
FWD Да
TA,°C от -55 до -150
Корпус D-PAK

Общее описание
Datasheet
 
STGD3NB60SD (309 Кб), 09.04.2010

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STGD3NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 3 А семейства PowerMESH™ (309 Кб), 09.04.2010

Связанные документы

По фирмам
IGBTs Selection guide Каталог IGBT-транзисторов фирмы STM (440.3 Кб), 08.04.2010



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1448 		Дата публикации: 09.04.2010 09:22
Дата редактирования: 02.03.2012 17:28

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники