Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MMIX1G75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 65 | 90 | 2.5 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 430 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGV25N250S | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 4 | 110 | 4.6 | - | - | 385 | 86 | - | 0.8 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 4А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 4 | 110 | 4.6 | - | - | 385 | 86 | - | 0.8 | 150 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXLF19N250A | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 32А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 19 | 90 | 3.2 | 100 | 50 | 600 | 250 | 15 | 30 | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGF25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 30А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 15 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 114 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT2N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 2А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 2 | 110 | 2.6 | 26 | 89 | 74 | 204 | - | - | 32 | Нет | -55 ... 150 |
|
| MMIX4G20N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А, конфигурация H-Bridge |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 14 | 90 | 3.1 | 57 | 160 | 136 | 930 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGF20N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 23А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 14 | 90 | 3.1 | 57 | 160 | 136 | 930 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IKZ75N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 75 | - | 1.1 | 120 | 23 | 275 | 50 | 1.57 | 3.2 | 536 | Да | -40 ... 175 |
|
| IKW30N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 33 | 11 | 308 | 51 | 0.47 | 1.35 | 227 | Да | -40 ... 175 |
|
| IKW30N65NL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 59 | 20 | 283 | 67 | 0.56 | 1.35 | 227 | Да | -40 ... 175 |
|
| IGW30N65L5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 30 | - | 1.05 | 33 | 11 | 308 | 51 | 0.47 | 1.35 | 227 | Нет | -40 ... 175 |
|
| IKW75N65EL5 | IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
650 | 75 | - | 1.1 | 40 | 11 | 275 | 50 | 1.61 | 3.2 | 536 | Да | -40 ... 175 |
|
| STGB10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
D2-PAK |
| STGP10NB37LZ | IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
410 | 10 | 100 | 1.3 | 1300 | 270 | 8000 | 1400 | 2.4 | 5 | 125 | Нет | -65 ... 175 |
TO-220 |
| IFS100V12PT4 | IGBT-модуль в конфигурации sixpack семейства MIPAQ™ |
|
Infineon Technologies |
IGBT |
1200 | 100 | 100 | 2.15 | - | - | - | - | 10.2 | 8 | - | Нет | -40 ... 65 |
|
