Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MMIX1G75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А

 

Блок-схема

MMIX1G75N250, IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 2500
Рабочий ток: IC,А 65
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 55
tr (тип.),нс 225
td(off) (тип.),нс 270
tf (тип.),нс 455
PD,Вт 430
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус SMD
Datasheet
 
MMIX1G75N250 (227.9 Кб), 17.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MMIX1G75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А (227.9 Кб), 17.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 615 		Дата публикации: 17.02.2012 10:04
Дата редактирования: 17.02.2012 10:06

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники