Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGW40N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
 1200 40 100 2.7 48 40 338 210 3.7 5.7 240 Да -55 ... 125 TO-247
NGTB25N120SWG IGBT-транзистор на 1200 В, 25 А ON Semiconductor IGBT
 1200 25 100 2.4 87 74 179 136 1.95 0.6 192 Да -55 ... 175 TO-247
TSG60N100CE IGBT-транзистор на 1000В, 60А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1000 42 100 2.5 230 210 1250 230 22 11 208 Да -55 ... 150 TO-264
NGTB40N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 40А ON Semiconductor IGBT
 1350 40 100 2.7 250 130 260 190 1.3 2.6 197 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB30N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 30А ON Semiconductor IGBT
 1350 30 100 2.65 250 150 265 225 0.85 1.9 197 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB20N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 20А ON Semiconductor IGBT
 1350 20 100 2.65 245 175 270 290 0.6 1.4 197 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB15N135IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1350 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1350 15 100 2.65 170 200 190 290 0.42 0.95 178 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB40N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 40А ON Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.55 230 120 245 180 0.95 2.1 192 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB30N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 30А ON Semiconductor IGBT
 1200 30 100 2.5 230 133 250 210 0.7 1.55 192 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB20N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 20А ON Semiconductor IGBT
 1200 20 100 2.45 235 155 255 250 0.45 1.1 192 Да -55 ... 175 TO-247
NGTB15N120IHR IGBT-транзистор для индукционных нагревателей, 1200 В, 15А ON Semiconductor IGBT
 1200 15 100 2.5 170 177 190 255 0.34 0.74 166 Да -55 ... 175 TO-247
IXEL40N400 IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 40А IXYS IGBT
 4000 40 90 2.5 155 105 715 455 85 205 380 Нет -40 ... 125 ISOPLUS_i5
IXGF30N400 IGBT-транзистор высокого напряжения, 4000 В, 30А IXYS IGBT
 4000 15 110 3.1 55 146 210 514 - - 160 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGF36N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 36А IXYS IGBT
 3000 18 110 2.7 36 185 215 540 - - 160 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGF25N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 27А IXYS IGBT
 3000 16 90 3 70 240 220 500 - - 114 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGF20N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 22А IXYS IGBT
 3000 14 90 3.2 38 486 145 210 - - 100 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGH10N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 10А IXYS IGBT
 3000 10 90 3.5 72 227 154 530 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGK75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 75А IXYS IGBT
 2500 75 110 2.7 55 225 270 455 - - 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 75А IXYS IGBT
 2500 75 110 2.7 55 225 270 455 - - 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGL75N250 IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А IXYS IGBT
 2500 65 90 2.5 55 225 270 455 - - 430 Нет -55 ... 150 ISOPLUS_i5
Страницы: предыдущая 1 ... 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники