IGW30N65L5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5

 

Блок-схема

IGW30N65L5, IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 650
Рабочий ток: IC 30
VCE(sat) 1.05
td(on) (тип.),нс 33
tr (тип.),нс 11
td(off) (тип.),нс 308
tf (тип.),нс 51
EON (тип.),мДж 0.47
EOFF (тип.),мДж 1.35
PD,Вт 227
FWD Нет
TA,°C от -40 до 175
Корпус TO-247

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Низкий уровень напряжения насыщения VCE(sat): 1.05 В
  • Низкие потери на переключение: 1.6 мДж при температуре 25°C и токе коллектора 30 А
  • Нестабильность электрических параметров при изменении температуры в диапазоне от 25°C до 175°C: не более 2%
  • Снижение потерь на переключение на 20% за счёт использования 4-выводного корпуса TO-247 с Кельвин-эмиттером
  • Высокая эффективность на частоте переключения 50 Гц
  • Увеличенный срок службы и высокая надёжность
  • Надёжность расчёта схем благодаря термостабильности электрических параметров транзистора

Область применения:

  • Источники бесперебойного питания, выполненные по топологии NPC1 и NPC2
  • Солнечные инверторы модифицированной топологии HERIC
  • Сварочные аппараты с переменным выходным напряжением (сварочный инвертор с электродами из алюминий-марганцевой проволоки AL/MG)
Datasheet
 
IGW30N65L5 (1.7 Мб), 14.05.2015

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IGW30N65L5 IGBT-транзистор L5 на основе технологии TRENCHSTOP™ 5 (1.7 Мб), 14.05.2015




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1640
Дата публикации: 14.05.2015 21:11
Дата редактирования: 14.05.2015 21:13


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019