Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGF14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 7 100 2.1 - - - - - - 33 Да -40 ... -175 TO-220FP
STGP14HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 14 - 2.1 - - - - - - 95 Да -40 ... -175 TO-220
STGB14NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 14 100 2.5 22.5 8.5 116 75 82 155 80 Да -55 ... -150 D2-PAK
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
STGP10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 TO-220
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB20NB41LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 412 20 100 1.3 1000 220 12100 1600 5 12.9 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB20NB37LZ IGBT-транзистор на 400 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 400 20 100 1.35 2300 600 2000 11500 8800 11800 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGB18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGD18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 25 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 125 Нет -55 ... 175 D-PAK
I-PAK
STGP18N40LZ IGBT-транзистор на 390 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 390 30 100 1.3 650 3500 13500 5500 - - 150 Нет -55 ... 175 TO-220
STGB35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 D2-PAK
I2PAK
STGP35N35LZ IGBT-транзистор на 345 В, 30 А STMicroelectronics IGBT
 345 30 100 1.3 1100 700 26500 5500 - - 176 Нет -55 ... 175 TO-220
TSG40N120CE IGBT-транзистор на 1200В, 64А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.8 41 82 200 170 8.7 2.3 208 Да -55 ... 150 TO-264
TSG25N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 50А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 25 100 2.5 57 65 240 160 6.22 1.31 312 Да -55 ... 150 TO-3PN
TSG15N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 30А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 15 100 1.9 34 106 192 94 2.1 0.54 184 Да -55 ... 150 TO-3PN
TSG10N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 10.5 100 2.7 30 13 130 460 0.3 0.5 125 Да -55 ... 150 TO-3P
NGTB40N120SWG IGBT-транзистор на 1200 В, 40 А ON Semiconductor IGBT
 1200 40 100 2.4 116 42 286 121 3.4 1.1 267 Да -55 ... 175 TO-247
STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А STMicroelectronics IGBT
 1200 30 100 2.8 36 22 251 260 2.4 4.3 220 Да -55 ... 125 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники