Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXDR30N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А

 

Блок-схема

IXDR30N120, IGBT-транзистор, 1200 В, 50А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 30
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.4
td(on) (тип.),нс 100
tr (тип.),нс 70
td(off) (тип.),нс 500
tf (тип.),нс 70
EON (тип.),мДж 4.6
EOFF (тип.),мДж 3.4
PD,Вт 200
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус ISOPLUS247
Datasheet
 
IXDR30N120 (91.1 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXDR30N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А (91.1 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 735 		Дата публикации: 16.02.2012 09:32
Дата редактирования: 16.02.2012 09:34

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники