Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| STGP6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGB6NC60HD-1 | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
|
| STGD7NB60S | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 1.6 | 700 | 460 | - | 1200 | 0.4 | 3.5 | 55 | Нет | -65 ... -150 |
D-PAK |
| STGD7NB120S-1 | N-канальный IGBT-транзистор на 1200 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1200 | 7 | 100 | 2.1 | 570 | 270 | - | 3300 | 3.2 | 15 | 55 | Нет | -65 ... -150 |
|
| STGB6NC60HD | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| STGD6NC60HD | N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGB6NC60H | N-канальный, высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 7 А семейства PowerMESH™ |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.5 | 12 | 5 | 76 | 100 | 20 | 68 | 56 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| IXGR16N170AH1 | IGBT-транзистор, 1700 В, 16А, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 8 | 90 | 4.2 | 38 | 59 | 55 | 200 | 1.5 | 1.1 | 120 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR12N60C | IGBT-транзистор, 600 В, 15 А |
|
IXYS |
IGBT |
600 | 8 | 90 | 2.7 | 20 | 20 | 85 | 85 | 0.15 | 0.27 | 55 | Нет | -40 ... 150 |
|
| STGP8NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 65 | Да | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGD8NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 62 | Да | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGB8NC60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 8 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 65 | Да | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| STGP8NC60K | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 8 А семейства PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 85 | 55 | 85 | 65 | Нет | -55 ... -150 |
TO-220 |
| STGD8NC60K | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 8 А семейства PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 62 | Нет | -55 ... -150 |
D-PAK |
| STGB8NC60K | N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 8 А семейства PowerMESH™ с защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 8 | 100 | 2.75 | 17 | 6 | 72 | 82 | 55 | 85 | 65 | Нет | -55 ... -150 |
D2-PAK |
| IXGA8N100 | IGBT-транзистор, 1000 В, 16А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 8 | 90 | 2.2 | 15 | 30 | 800 | 630 | 0.5 | 3.7 | 54 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGP8N100 | IGBT-транзистор, 1000 В, 16А |
|
IXYS |
IGBT |
1000 | 8 | 90 | 2.2 | 15 | 30 | 800 | 630 | 0.5 | 3.7 | 54 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220AB |
| IXYP8N90C3D1 | IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 8 | 110 | 2.15 | 17 | 22 | 75 | 163 | 1 | 0.22 | 125 | Да | -55 ... 175 |
TO-220 |
| IXYP8N90C3 | IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 8 | 110 | 2.15 | 17 | 22 | 75 | 163 | 1 | 0.22 | 120 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| IXYY8N90C3 | IGBT-транзистор, 900 В, 8 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц |
|
IXYS |
IGBT |
900 | 8 | 110 | 2.15 | 17 | 22 | 75 | 163 | 1 | 0.22 | 120 | Нет | -55 ... 175 |
TO-252 |
