Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGH12N90C IGBT-транзистор, 900 В, 24А IXYS IGBT
 900 12 90 3 20 20 200 150 0.15 0.7 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGA12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 4 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 4 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 24А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 15 30 700 1050 0.5 7.7 75 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGH12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 2.2 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGA12N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 24А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 15 30 700 1050 0.5 7.7 75 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGH12N100AU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 2.2 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники