Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
STGF19NC60KD IGBT-транзистор на 600 В, 20 А с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.75 30 8 105 85 165 255 32 Да -55 ... -150 TO-220FP
STGD10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 - 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D-PAK
IXSP10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
STGB10HF60KD IGBT-транзистор на 600 В, 10 А, с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.6 - - - - - - 80 Да -40 ... 175 D2-PAK
IXSA10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXSQ10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-3P
IXSH10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А IXYS IGBT
 600 10 110 2.5 30 30 260 270 0.32 0.79 100 Да -55 ... 150 TO-247
STGF100N30 Высокоскоростной IGBT-транзистор на 330 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 330 10 100 2.6 - - 135 57 - - 40 Нет -55 ... 150 TO-220FP
IXGH10N300 IGBT-транзистор высокого напряжения, 3000 В, 10А IXYS IGBT
 3000 10 90 3.5 72 227 154 530 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
STGF19NC60HD Ультрабыстрый IGBT-транзистор на 600 В, 19 А STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.5 25 7 97 73 85 189 32 Да -55 ... -150 TO-220FP
STGP10NC60H N-канальный высокоскоростной IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 2.5 14.2 5 72 85 31.8 95 60 Нет -55 ... -150 TO-220
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGP10NB60SD N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 10 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.7 0.7 0.46 - 1200 0.6 5 31.5 Да -65 ... -150 TO-220
STGP10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 TO-220
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
 410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 D2-PAK
STGD10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 62 Да -55 ... 150 D-PAK
STGP10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 TO-220
STGB10NC60KD 600 В, 10 А, IGBT-транзистор с усиленной защитой от короткого замыкания STMicroelectronics IGBT
 600 10 100 1.8 17 6 72 82 55 85 65 Да -55 ... 150 D2-PAK
TSG10N120CN IGBT-транзистор на 1200В, 21А со встроенным ограничительным диодом Taiwan Semiconductor IGBT
 1200 10.5 100 2.7 30 13 130 460 0.3 0.5 125 Да -55 ... 150 TO-3P
STGP10NC60S Быстрый IGBT-транзистор на 600 В, 10 А STMicroelectronics IGBT
 600 11 100 1.65 19 4 160 205 50 290 62.5 Нет -55 ... -150 TO-220
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники