Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTK17N120L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 1200 900 900 900 900 900 17 700 TO-264
IXTH13N110 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1100 920 920 920 920 920 13 360 TO-247AD
IXFC12N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 930 930 930 930 930 7 120 ISOPLUS220
IXFM11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-204AA
IXFH11N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 950 950 950 950 950 11 300 TO-247AD
IXFH16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-247
IXFT16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 950 950 950 950 950 16 660 TO-268
IXFH14N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 950 950 950 950 950 14 500 TO-247
IXTQ10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-3P
IXTP10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-220
IXTH10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
IXTK20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 TO-264
IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247AD
IXTT10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 N 1 -600 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-268
IXFR16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1040 1040 1040 1040 1040 9 230 ISOPLUS247
IXFT12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXFH12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 TO-247
IXFH12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFT12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники