Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
FDA8440 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 40 - - - 1560 1460 30 306 TO-3PN
2N7002DW N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SC70-6
2N7002VA N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1600 - 0.28 0.25 SOT - 563F
2N7002V N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 2 60 - - - 1600 - 0.28 0.25 SOT - 563F
2N7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1600 2530 0.115 0.2 SOT-323
NDC7002N Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 50 - - - 1600 - 0.51 0.96 SSOT-6
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
BS270 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1800 1200 0.4 0.625 TO-92
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Fairchild Semiconductor MOSFET
 N 1 60 - - - 1800 1200 0.2 0.4 TO-92
IXFM6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXFH6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247AD
2N7002E N-Channel 60-V MOSFET Vishay MOSFET
 N 1 60 - - - 1800 1200 0.24 0.35 SOT-23-3
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники