Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFM10N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-204AA
IXTP6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-220
IXTA6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-263
IXFT10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-268
IXFR15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 400 ISOPLUS247
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220
IXTM6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-204AA
IXFV10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220SMD
IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 TO-247
IXTH6N90A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247
IXTT10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-268
IXTH10N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 400 TO-247
IXTH6N80A Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 800 1400 1400 1400 1400 1400 6 180 TO-247AD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019