Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IRF7494 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 44 | 5.2 | 3 |
SOIC-8 |
| PHD78NQ03LT | N-channel TrenchMOS logic level FET |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 10.5 | 7.65 | 75 | 107 |
D-PAK |
| STL60N10F7 | N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 100 В, 12 А |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 16.5 | 12 | 5 |
|
| IRFR9210PBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
P | 1 | 200 | - | - | - | - | 3000 | 1.9 | 25 |
D-PAK |
| SUD50N04-37P | N-Channel 40-V (D-S) MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 37 | 30.5 | 8 | 10.8 |
D-PAK |
| IXTT50P10 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор |
|
IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 55 | 55 | 55 | 55 | 55 | -50 | 300 |
|
| FDD6N50 | 500V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 760 | 6 | 89 |
D-PAK |
| STP21N65M5 | N-channel 650 V, 0.159 ?, 17 A MDmesh™ V Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 710 | - | - | - | - | 159 | 17 | 125 |
TO-220 |
| IRFU5505 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 55 | - | - | - | - | 110 | 18 | 57 |
|
| STF25NM50N | N-channel 500V - 0.11? - 22A - TO-220FP Second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 110 | 22 | 40 |
|
| IRFPC50 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 600 | 11 | 180 |
TO-247AC |
| IXFH12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
| STP9NK70Z | N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A TO-220 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 700 | - | - | - | - | 1000 | 7.5 | 115 |
TO-220 |
| IXTB30N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 30 | 800 |
|
| ZVN4210G | SOT223 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 1500 | 0.8 | 2 |
SOT-223-4 |
| IRL2703 | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 600 | 400 | 24 | 45 |
TO-220AB |
| STP120NF10 | N-channel 100V - 0.009? - 110A - TO-220 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 9 | 110 | 312 |
TO-220 |
| IRF840APBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 850 | 8 | 125 |
TO-220AB |
| IXFH21N50Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 250 | 250 | 250 | 250 | 250 | 21 | 280 |
|
| STB24NM65N | N-channel 650 V - 0.16 ? - 19 A - D2PAK second generation MDmesh™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 160 | 19 | 160 |
D2-PAK |
