Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
BSH203 P-channel enhancement mode MOS transistor NXP MOSFET
P 1 30 1100 - 920 660 - 0.47 0.417 SOT-23-3
IXTP7N60PM Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1100 1100 1100 1100 1100 4 41 TO-220-3 ISO
IXFH10N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-247AD
IXFM10N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-204AA
IXTP6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-220
IXTA6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-263
IXFT10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-268
IXFR15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 400 ISOPLUS247
IXFM10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-204AA
IXFH10N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1200 1200 1200 1200 1200 10 300 TO-247AD
SiA456DJ N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 1200 - 1120 1080 - 2.6 19 PowerPAK SC70-6
IXTT8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-268
IXTH8P50 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
P 1 -500 1200 1200 1200 1200 1200 -8 180 TO-247
Si1024X Dual N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 2 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.25 SC89-6
Si1012X N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.25 SC89-3
Si1012R N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 20 1250 - 850 700 - 0.5 0.15 SC75A
IXTH12N100L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
N 1 1000 1300 1300 1300 1300 1300 12 400 TO-247
IXFV12N120PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220SMD
IXFV12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1350 1350 1350 1350 1350 12 543 PLUS220
IXFV10N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1400 1400 1400 1400 1400 10 380 PLUS220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019