Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
BSH203 | P-channel enhancement mode MOS transistor | NXP |
MOSFET |
P | 1 | 30 | 1100 | - | 920 | 660 | - | 0.47 | 0.417 |
SOT-23-3 |
|
IXTP7N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 4 | 41 |
|
|
IXFH10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFM10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
TO-220 |
|
IXTA6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
|
|
IXFT10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXFR15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 400 |
|
|
IXFM10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXFH10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
SiA456DJ | N-Channel 200-V (D-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 1200 | - | 1120 | 1080 | - | 2.6 | 19 |
PowerPAK SC70-6 |
|
IXTT8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
IXTH8P50 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | -8 | 180 |
|
|
Si1024X | Dual N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 2 | 20 | 1250 | - | 850 | 700 | - | 0.5 | 0.25 |
SC89-6 |
|
Si1012X | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 1250 | - | 850 | 700 | - | 0.5 | 0.25 |
SC89-3 |
|
Si1012R | N-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET | Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 20 | 1250 | - | 850 | 700 | - | 0.5 | 0.15 |
SC75A |
|
IXTH12N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 1300 | 12 | 400 |
|
|
IXFV12N120PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 12 | 543 |
|
|
IXFV12N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 1350 | 12 | 543 |
|
|
IXFV10N100PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 1400 | 10 | 380 |
|