Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTT10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

IXTT10P60, Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В -600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 1000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 1000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 1000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 1000
RDS(ON) 10 В,мОм 1000
ID,А -10
PD,Вт 300
Корпус TO-268
Datasheet
 
IXTx10P60 (151.2 Кб), 23.01.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTx10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор (151.2 Кб), 23.01.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1005 		Дата публикации: 23.01.2012 13:14
Дата редактирования: 23.01.2012 13:19

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники