Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTH14N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 820 | 820 | 820 | 820 | 820 | 14 | 300 |
|
| IXFV12N80PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 850 | 850 | 850 | 850 | 850 | 12 | 360 |
|
| IXFV12N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 850 | 850 | 850 | 850 | 850 | 12 | 360 |
|
| IXFQ12N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 850 | 850 | 850 | 850 | 850 | 12 | 360 |
|
| IXFH12N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 850 | 850 | 850 | 850 | 850 | 12 | 360 |
|
| IXTM12N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| IXTH12N90 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| IXFH9N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 9 | 180 |
|
| IXFV12N90PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 380 |
|
| IXFH12N90P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 380 |
|
| IXFV12N90P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 380 |
|
| TK5P60W | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 5.4 | 60 |
D-PAK |
| IXFT12N90Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| TK5A60W | Силовой N-канальный MOSFET-транзистор, технология DTMOS-IV |
|
Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 5.4 | 30 |
|
| IXFH12N90Q | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| IXFH12N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| IXFM12N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12 | 300 |
|
| IXTN17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
| IXTX17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
| IXFH13N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12.5 | 300 |
|
