Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXTP01N100D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.4 25 TO-220
IXTY01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-252 AA
IXTU01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-251 AA
IXTV03N400S N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 PLUS220SMD
IXTH03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор, 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 290000 290000 290000 290000 290000 0.3 130 TO-247
IXTF03N400 N-канальный высоковольтный силовой MOSFET-транзистор 4000 В, 0.3 А IXYS MOSFET
N 1 4000 300000 300000 300000 300000 300000 0.3 70 ISOPLUS_i4
IXTV02N250S Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 PLUS220SMD
IXTH02N250 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 2500 450000 450000 450000 450000 450000 0.2 57 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 427 428 429 430 431  




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019