Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
DMN601WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - 3000 2000 0.8 0.2 SOT-323
DMN601VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - 3000 2000 0.305 0.25 SOT-563
DMN601TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.3 0.15 SOT-523
DMN601K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.3 0.35 SOT-23-3
DMN601DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 60 - - - - 2000 0.305 0.2 SOT-363
DMN601DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 60 - - - - 3500 0.305 0.225 SOT-26
DMN5L06WK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.25 SOT-323
DMN5L06VK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN5L06VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN5L06TK N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 1800 - - - - 0.28 0.15 SOT-523
DMN5L06K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 3000 - - - - 0.3 0.35 SOT-23-3
DMN5L06DWK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.305 0.25 SOT-363
DMN5L06DMK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 - - - - 3500 0.308 0.4 SOT-26
DMN55D0UT N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 50 - - - - - 0.16 0.2 SOT-523
DMN5010VAK DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 50 3000 - - - - 0.28 0.25 SOT-563
DMN4800LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 14 11 10 2.5 SOP-8L
DMN4468LSS N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 - - - 15 11 8.7 1.52 SOP-8L
DMN3300U N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 185 - - 100 - 2 0.6 SOT-23-3
DMN32D2LV DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 1 30 2200 - - - - 0.4 0.4 SOT-563
DMN32D2LDF COMMON SOURCE DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
 N 2 30 2200 - - - - 0.4 0.28 SOT-353
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники