Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTH10P60 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

 

Блок-схема

IXTH10P60, Силовой P-канальный MOSFET-транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность P
Каналов,шт 1
VDS,В -600
RDS(ON) 1.8 В,мОм 1000
RDS(ON) 2,7 В,мОм 1000
RDS(ON) 2,5 В,мОм 1000
RDS(ON) 4.5 В,мОм 1000
RDS(ON) 10 В,мОм 1000
ID,А -10
PD,Вт 300
Корпус TO-247AD

Общее описание
Datasheet
 
IXTH10P60 (139.4 Кб), 03.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH10P60 Standard Power MOSFET (139.4 Кб), 03.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1378 Дата публикации: 03.02.2009 15:52
Дата редактирования: 23.01.2012 13:10

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники