Главная > Документация > Дискретные компоненты > Транзисторы

Компоненты группы MOSFET транзисторы

Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
V_DS (В)
R_DS(ON) 1.8 В (мОм)
R_DS(ON) 2,5 В (мОм)
R_DS(ON) 2,7 В (мОм)
R_DS(ON) 4.5 В (мОм)
R_DS(ON) 10 В (мОм)
I_D (А)
P_D (Вт)
Корпус

Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Название	Описание	PDF	Производитель	Группа компонент	Полярность	Каналов шт	V_DS В	R_DS(ON) 1.8 В мОм	R_DS(ON) 2,5 В мОм	R_DS(ON) 2,7 В мОм	R_DS(ON) 4.5 В мОм	R_DS(ON) 10 В мОм	I_D А	P_D Вт	Корпус

IXFT15N100Q3	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	15	690	TO-268
IXFH15N100Q3	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	15	690	TO-247
IXTM12N100	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-204AA
IXTH12N100	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-247AD
IXFM12N100	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-204AA
IXFV12N100PS	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	463	PLUS220SMD
IXFH12N100	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	300	TO-247AD
IXFV12N100P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1050	1050	1050	1050	1050	12	463	PLUS220
IXFR12N100Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1100	1100	1100	1100	1100	10	250	ISOPLUS247
IXFR14N100Q2	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class		IXYS	MOSFET	N	1	1000	1100	1100	1100	1100	1100	9.5	200	ISOPLUS247
IXFH9N80Q	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	9	180	TO-247AD
IXFH8N80	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	8	180	TO-247AD
IXFQ10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-3P
IXTP7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-220
IXFP10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-220
IXTA7N60P	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	7	150	TO-263
IXFH10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247
IXFA10N80P	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	800	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-263
IXTP7N60PM	Стандартный N-канальный силовой MOSFET		IXYS	MOSFET	N	1	600	1100	1100	1100	1100	1100	4	41	TO-220-3 ISO
IXFH10N90	N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)		IXYS	MOSFET	N	1	900	1100	1100	1100	1100	1100	10	300	TO-247AD

Страницы: предыдущая 1 ... 416 417 418 419 420 421 422 423 424 ... 431 следующая

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве

Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019

Поиск				В компонентах В документах По PDF базе По фирмам
		по всем полям Расширенный поиск