Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IPD80R1K0CE | Силовые MOSFET-транзисторы CoolMOS™ CE с рабочим напряжением 800 В |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 950 | 18 | 83 |
TO-252 |
| FDU7N20 | N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 580 | 5 | 43 |
|
| STB12NK80Z | N-channel 800V - 0.65? - 10.5A - D2PAK Zener - Protected SuperMESH™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 650 | 10.5 | 190 |
D2-PAK |
| NTGS4141N | Power MOSFET 30 V, 7.0 A, Single N?Channel, TSOP?6 |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 30 | 21.5 | 5 | 1 |
|
| ZXMN3F318DN8 | 30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET |
|
Zetex |
MOSFET |
N | 2 | 30 | - | - | - | - | 24 | 7.3 | 2.1 |
SOIC-8 |
| IRF2907ZL | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 75 | - | - | - | - | 4.5 | 170 | 330 |
TO-262 |
| IXFN64N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 96 | 96 | 96 | 96 | 96 | 50 | 700 |
|
| FDS6294 | 30V N-Channel Fast Switching PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 11.5 | 9.4 | 13 | 3 |
SOIC-8 |
| STI11NM60ND | N-channel 600V - 0.37? - 10A - FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 370 | 10 | 90 |
|
| IRFZ48RPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 18 | 50 | 190 |
TO-220AB |
| IXFV36N50PS | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 170 | 170 | 170 | 170 | 170 | 36 | 540 |
|
| IPD320N20N3-G | OptiMOS™-3 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 200 | - | - | - | - | 27 | 34 | 136 |
TO-252 |
| IRL2505L | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 55 | - | - | - | - | 8 | 104 | 200 |
TO-262 |
| 2N7000 | N-channel 60V - 1.8? - 0.35A - TO-92 STripFET™ Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 2000 | 1800 | 0.35 | 1 |
TO-92 |
| TSM10N80CI | Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 800 В, 9.5 А |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 800 | - | - | - | - | 1050 | 9.5 | - |
|
| FQPF7N60 | 600V N-Channel MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 800 | 4.3 | 48 |
TO-220F |
| STF10NM65N | N-channel 650 V, 0.43 ?, 9 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 650 | - | - | - | - | 430 | 9 | 25 |
|
| IRFI624GPBF | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 1100 | 3.4 | 30 |
TO-220F |
| Si7326DN | N-Channel 30-V (D-S) MOSFET Fast Switching MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 22 | 15 | 6.5 | 1.5 |
PowerPAK_1212-8 |
| IXTV22N60PS | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | 22 | 400 |
|
