Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IXFH12N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 543 TO-247
IXTH12N120 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1200 1400 1400 1400 1400 1400 12 500 TO-247AD
IXTU5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-251
IXTY5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-252
IXTP5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-220
IXTA5N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 1400 1400 1400 1400 1400 5 89 TO-263
IXFM7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-204AA
IXFH7N80 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 180 TO-247AD
IXFP7N80PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 3.5 50 TO-220
IXFI7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFP7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-220
IXFA7N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 800 1440 1440 1440 1440 1440 7 200 TO-263
IXTH10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-247
IXTT10N100D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 1000 1500 1500 1500 1500 1500 10 695 TO-268
IXTP3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-220AB
IXTA3N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
N 1 500 1500 1500 1500 1500 1500 3 125 TO-263
IXFH7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-247AD
IXFT7N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1500 1500 1500 1500 1500 7 180 TO-268
FDY2000PZ -20V Dual P-Channel Specified PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
P 2 -20 2700 1600 - 1200 - -0.35 0.625 SOT-563
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019