Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRF2805 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 4.7 175 330 TO-220AB
PH20100S N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 100 - - - - 19 34.3 62.5 SOT-669
STW56N65M2 N-канальные силовые MOSFET-транзисторы семейства MDmesh M2 на 650 В, 49 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 650 - - - - 62 49 358 TO-247
HUFA75645P3 N-Channel, UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 11.5 75 310 TO-220AB
STI12NM50N N-channel 500 V, 0.29 ?, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET I2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 290 11 100 I2PAK
PHP63NQ03LT TrenchMOS (tm) logic level FET NXP MOSFET
N 1 30 - - - 15 11 68.9 111 TO-220AB
Si7308DN N-Channel 60-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - 59 46 3.2 2.4 PowerPAK_1212-8
HUF75545S3S N-Channel, UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 8.2 75 270 TO-263AB
IRFTS8342TRPBF Однокристальный n-канальный МОП-транзистор с технологией HEXFET на 30В в корпусе TSOP-6 (Micro 6) International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 29 19 8.2 2 TSOP-6
STP11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 TO-220
IPP60R099C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 90 37.9 278 TO-220
NTP18N06 Power MOSFET 15 A, 60 V, N?Channel TO-220 ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 76 15 48.4 TO-220
IRFR420APBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 3000 3.3 83 D-PAK
FDP19N40 N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 200 19 215 TO-220
IRL8113S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.1 6 105 110 D2-PAK
STP20NF20 N-channel 200V - 0.10? -18A- TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 100 18 90 TO-220
DMP3098LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 98 56 -5.3 2.5 SOP-8L
MLD1N06CL SMARTDISCRETES MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 62 - - - - - 1 40 D-PAK
IRFBE20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.8 54 TO-220AB
IRFR3505 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13 30 140 D-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019