Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFX20N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 20 | 780 |
|
|
IXFN20N120 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 750 | 750 | 750 | 750 | 750 | 20 | 780 |
|
|
TK100L60W | Силовой высокоэффективный, высокоскоростной N-канальный MOSFET-транзистор на 600 В | Toshiba |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | - | 15 | 100 | 797 |
|
|
IXTK140N20P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 140 | 800 |
|
|
IXTN62N50L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 62 | 800 |
|
|
IXTB62N50L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 100 | 100 | 100 | 100 | 100 | 62 | 800 |
|
|
IXTK180N15P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 10 | 10 | 10 | 10 | 10 | 180 | 800 |
|
|
IXTK200N10P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 7.5 | 200 | 800 |
|
|
IXTN30N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 30 | 800 |
|
|
IXTB30N100L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 450 | 450 | 450 | 450 | 450 | 30 | 800 |
|
|
IXFT70N30Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 54 | 54 | 54 | 54 | 54 | 70 | 830 |
|
|
IXTQ470P2 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 145 | 145 | 145 | 145 | 145 | 42 | 830 |
|
|
IXFH86N30T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 43 | 43 | 43 | 43 | 43 | 86 | 830 |
|
|
IXFT86N30T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 300 | 43 | 43 | 43 | 43 | 43 | 86 | 830 |
|
|
IXFX48N60P | PolN-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 135 | 135 | 135 | 135 | 135 | 48 | 830 |
|
|
IXFN360N10T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 100 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 2.6 | 360 | 830 |
SOT-227 |
|
IXFH42N60P3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 185 | 185 | 185 | 185 | 185 | 42 | 830 |
|
|
IXFK48N60P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 135 | 135 | 135 | 135 | 135 | 48 | 830 |
|
|
IXTH130N20T | N-канальный силовой TrenchHV MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 130 | 830 |
|
|
IXFX180N15P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 150 | 11 | 11 | 11 | 11 | 11 | 180 | 830 |
|