Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXTT16N50D2 N-канальный силовой MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 240 240 240 240 240 16 695 TO-268
IXFT12N90Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 900 900 900 900 900 12 300 TO-268
IXTT72N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 33 33 33 33 33 72 400 TO-268
IXTT30N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 460 TO-268
IXFT26N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 26 300 TO-268
IXTT69N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 49 49 49 49 49 69 500 TO-268
IXFT60N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 60 1040 TO-268
IXTT16P60P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -600 720 720 720 720 720 -16 460 TO-268
IXFT12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXFT80N085 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 85 9 9 9 9 9 80 300 TO-268
IXFK24N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 400 400 400 400 400 24 650 TO-268
IXFT24N50Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 230 230 230 230 230 24 300 TO-268
IXTT30N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 30 400 TO-268
IXFT52N30Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 60 60 60 60 60 52 360 TO-268
IXTT100N25P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 27 27 27 27 27 100 600 TO-268
IXTT30N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-268
IXFT86N30T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 43 43 43 43 43 86 830 TO-268
IXFT26N60P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 270 270 270 270 270 26 460 TO-268
IXTT96N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 96 600 TO-268
IXFT15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 415 416 417 418 419 420 421 422 423 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники