Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRFR420APBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 3000 3.3 83 D-PAK
STP20NF20 N-channel 200V - 0.10? -18A- TO-220 Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 100 18 90 TO-220
FDP19N40 N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 400 - - - - 200 19 215 TO-220
DMP3098LSS SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
P 1 -30 - - - 98 56 -5.3 2.5 SOP-8L
IRL8113S HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 7.1 6 105 110 D2-PAK
MLD1N06CL SMARTDISCRETES MOSFET 1 Amp, 62 Volts, Logic Level N?Channel DPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 62 - - - - - 1 40 D-PAK
IRFBE20 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 800 - - - - 6500 1.8 54 TO-220AB
STB55NF06 N-channel 60V - 0.015? - 50A - D2PAK/I2PAK STripFET™ II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 15 50 110 D2-PAK
I2PAK
FQA8N100C 1000V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 1000 - - - - 1200 8 225 TO-3PN
IRFR3505 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 55 - - - - 13 30 140 D-PAK
STB9NK70Z N-CHANNEL 700V - 1W - 7.5A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 700 - - - - 1000 7.5 115 D2-PAK
I2PAK
Si3457CDV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - - 92 60 5.1 3 TSOP-6
STP200NF03 N-channel 30V - 0.0032? - 120A - TO220 STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 TO-220
FDD20AN06A0 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 17 45 90 TO-252 AA
IRF540N HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 44 33 140 TO-220AB
STF30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-220FP STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 40 TO-220FP
FDMC86340ET80 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 80 В, 68 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 6.5 68 65 Power 33
SUP36N20-54P N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 44 36 166 TO-220
STF11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220FP second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 25 TO-220FP
FDP8896 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6 5 92 80 TO-220AB




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019