+ STGW30N120KD, IGBT-транзистор на 1200 В, 30А
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А

 

Блок-схема

STGW30N120KD, IGBT-транзистор на 1200 В, 30А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 30
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 2.8
td(on) (тип.),нс 36
tr (тип.),нс 22
td(off) (тип.),нс 251
tf (тип.),нс 260
EON (тип.),мДж 2.4
EOFF (тип.),мДж 4.3
PD,Вт 220
FWD Да
TA,°C от -55 до 125
Корпус TO-247

Общее описание

Отличительные особенности

  • Малые потери
  • Высокий рабочий ток
  • Малый заряд затвора
  • Выдерживает импульс короткого замыкания длительностью 10 мкс
  • IGBT транзистор и безинерционный диод (Free-Wheeling Diode) в одном корпусе
Datasheet
 
STGW30N120KD (386.3 Кб), 03.12.2009

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STGW30N120KD IGBT-транзистор на 1200 В, 30А (386.3 Кб), 03.12.2009

Связанные документы

По фирмам
IGBTs Selection guide Каталог IGBT-транзисторов фирмы STM (440.3 Кб), 08.04.2010



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 2331 		Дата публикации: 03.12.2009 08:51
Дата редактирования: 05.03.2012 08:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники