+ STGW35HF60WDI, Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

STGW35HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В

 

Блок-схема

STGW35HF60WDI, Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 40
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 1.65
td(on) (тип.),нс 30
tr (тип.),нс 15
td(off) (тип.),нс 175
tf (тип.),нс 40
EON (тип.),мДж 185
EOFF (тип.),мДж 350
PD,Вт 260
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247 TO-247LL

Общее описание

Отличительные особенности:

  • Рабочая частота выше 100 кГц
  • Улучшенная характеристика EOFF при повышенной температуре
  • Минимальный хвостовой ток
  • Малые потери коммутации и проводимости
  • Встречновключенный диод, в зависимости от топологии:
    • сверхскоростной (маркируется D) с агрессивным процессом коммутации (сварочные аппараты, UPS, солнечные батареи, импульсные блоки питания)
    • с малым падением и плавным восстановлением (маркируется DI) для резонансных, квыазирезонансных или с плавной коммутацией топологий (индукционные печи, сварочные аппараты)
  • Меньшее температурное сопротивление (у корпуса TO-247 LL по сравнению с TO-247)
Datasheet
 
STGW35HF60WDI (346.1 Кб), 27.01.2010

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

STGW35HF60WDI Ультрабыстрые IGBT транзисторы на 35А, 600В (346.1 Кб), 27.01.2010

Связанные документы

По фирмам
IGBTs Selection guide Каталог IGBT-транзисторов фирмы STM (440.3 Кб), 08.04.2010



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1322 		Дата публикации: 27.01.2010 12:47
Дата редактирования: 05.03.2012 08:38

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники