+ IRG7PH46UD, Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IRG7PH46UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод

 

Блок-схема

IRG7PH46UD, Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 57
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 1.7
td(on) (тип.),нс 45
tr (тип.),нс 40
td(off) (тип.),нс 410
tf (тип.),нс 45
EON (тип.),мДж 2.61
EOFF (тип.),мДж 1.845
PD,Вт 390
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247AC TO-247AD

Общее описание

Семейство сверхбыстродействующих биполярных транзисторов с изолированным затвором на 1200В на базе тонкопленочной технологии Field-Stop Trench, которая дает возможность существенно снизить потери на переключение и электропроводность диэлектрика, и таким образом достичь повышения эффективности на высоких рабочих частотах.

Транзисторы работают в широком диапазоне частот и могут применяться в широком спектре приложений. К достоинствам предложенных транзисторов также относятся устойчивость к кратковременным броскам напряжения и возможность параллельного включения нескольких устройств.

Отличительные особенности:

  • Технология IGBT с низким температурным коэффициентом VCE (ON)
  • Пониженные потери на переключение полупроводниковой структуры
  • Максимальная температура p-n-перехода 175 °C
  • Широкая прямоугольная область RBSOA
  • 100% тестирование изделий на предельное значение тока
  • Положительный температурный коэффициент VCE (ON)
  • Минимальные допуски на параметры транзисторов
  • Отсутствие свинца

Области применения:

  • Источники бесперебойного питания
  • Сварка
  • Инверторы солнечных батарей
  • Индукционный нагрев
Datasheet
 
IRG7PH46UD (438.1 Кб), 20.03.2012

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IRG7PH46UD Сверхбыстродействующий биполярный транзистор с изолированным затвором на 1200В, ультрабыстрый диод (438.1 Кб), 20.03.2012



Автор документа: Варламов, http://www.rtcs.ru
 Кол-во просмотров: 2159 		Дата публикации: 20.03.2012 08:07
Дата редактирования: 20.03.2012 08:09

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники