Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGA16N60C2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А IXYS IGBT
 600 16 110 3 16 18 115 100 0.27 0.27 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGT40N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 40 110 2.9 21 58 350 420 6.5 8.3 380 Да -55 ... 150 TO-268
IXGX50N60A2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 540 Да -55 ... 150 PLUS247
IXSP10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 20 110 2.5 30 30 180 210 0.42 0.97 190 Да -55 ... 150 TO-220
IXGK120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGH30N60C3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Нет -55 ... 150 TO-247
IXXH80N65B4 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 80 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 80 110 2 38 90 120 63 3.77 1.2 625 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGR60N60C2C1 IGBT-транзистор, 600 В, 39А IXYS IGBT
 600 39 110 2.17 50 60 104 157 0.9 1.2 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH28N90B IGBT-транзистор, 900 В, 51А IXYS IGBT
 900 28 110 2.2 30 35 280 190 0.3 2.5 200 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGT28N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 28 110 2.8 35 28 250 340 0.3 4.6 250 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGP16N60C2 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16А IXYS IGBT
 600 16 110 3 16 18 115 100 0.27 0.27 150 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGH40N120B2D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 40А IXYS IGBT
 1200 40 110 2.9 21 58 350 420 6.5 8.3 380 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGX72N60A3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 90А, ультранизкий Vsat для частоты коммутации выше 5 кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 540 Да -55 ... 150 PLUS247
IXSA10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 20 110 2.5 30 30 180 210 0.42 0.97 190 Да -55 ... 150 TO-263
IXGH48N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 48А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 48 110 1.8 19 25 190 157 1.71 1.3 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP30N60C3 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 30А, частота коммутации 40...100 кГц IXYS IGBT
 600 30 110 2.6 17 28 70 90 0.44 0.33 220 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGR50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 45 110 2.5 50 60 200 250 3 4.2 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGR32N90B2D1 IGBT-транзистор, 900 В, 47А IXYS IGBT
 900 22 110 2.1 20 22 360 330 3.8 5.75 160 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXCK36N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 36А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 2500 36 110 2.6 105 830 480 900 - - 595 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH28N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 28 110 2.8 35 28 250 340 0.3 4.6 250 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники