Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXSA10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания

 

Блок-схема

IXSA10N60B2D1, Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 20
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 30
tr (тип.),нс 30
td(off) (тип.),нс 180
tf (тип.),нс 210
EON (тип.),мДж 0.42
EOFF (тип.),мДж 0.97
PD,Вт 190
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-263
Datasheet
 
IXSx20N60B2D1 (175.7 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXSx20N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания (175.7 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 597 		Дата публикации: 16.02.2012 13:10
Дата редактирования: 16.02.2012 13:13

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники