Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGN60N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 60 110 2.1 18 25 130 80 0.9 1.2 480 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXSH20N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 600 20 110 2.5 30 30 180 210 0.52 0.797 190 Да -55 ... 150 TO-247
IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 200 110 1.35 42 80 430 300 2.4 4.2 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXYN82N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 46 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 46 110 2.75 29 90 95 95 7.45 3.7 500 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGH30N60BU1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 60А IXYS IGBT
 600 30 110 1.8 25 35 200 230 1 2.5 200 Да -55 ... 150 TO-247
IXXN110N65B4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.1 38 46 156 85 2.2 1.05 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXGR60N60C2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 48 110 2.3 18 25 130 80 1.6 0.92 250 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGH32N90B2 IGBT-транзистор, 900 В, 51А IXYS IGBT
 900 32 110 2.2 20 22 360 330 0.5 5.75 300 Нет -55 ... 150 TO-247
IXBL64N250 Высоковольтный IGBT транзистор 2500В, 46А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 2500 46 110 2.5 54 578 222 175 - - 500 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i5
IXGN72N60C3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 52А, частота коммутации 40...100 кГц - IXYS IGBT
 600 52 110 2.1 26 36 120 124 1.48 0.93 360 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXXH100N60C3 IGBT-транзистор, 600 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.68 30 65 105 115 3 1.4 830 Нет -55 ... 175 TO-247AD
IXGR24N60C IGBT-транзистор, 600 В, 42А IXYS IGBT
 600 22 110 2.1 15 12 130 110 0.15 0.6 80 Нет -40 ... 150 ISOPLUS247
IXGH50N120C3 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А, частота коммутации 20...50 кГц IXYS IGBT
 1200 50 110 4.2 20 35 170 315 4.3 2.1 460 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGK50N60A2D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 72 110 1.35 29 34 510 375 2.6 6.5 540 Да -55 ... 150 TO-264
IXSQ20N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 35А, работа в режиме короткого замыкания - IXYS IGBT
 600 35 110 2.5 - - - 126 - 0.97 - Да -55 ... 150 TO-3P
IXGX120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXYN82N120C3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 46 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...50 Г IXYS IGBT
 1200 46 110 2.75 29 90 95 95 7.45 3.7 500 Да -55 ... 150 SOT-227 B
IXXN110N65C4H1 IGBT-транзистор семейства GenX4™, 650 В, 110 А, технология XPT™ (Extreme Light Punch Through) IXYS IGBT
 650 110 110 2.35 35 46 143 30 2.3 0.6 750 Да -55 ... 175 SOT-227 B
IXGR60N60C2 IGBT-транзистор, 600 В, 75А IXYS IGBT
 600 48 110 2.3 18 25 130 80 1.6 0.92 250 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGT28N90B IGBT-транзистор, 900 В, 51А IXYS IGBT
 900 28 110 2.2 30 35 280 190 0.3 2.5 200 Нет -55 ... 150 TO-268
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники