Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGR50N60BD1 IGBT-транзистор, 600 В, 75А

 

Блок-схема

IXGR50N60BD1, IGBT-транзистор, 600 В, 75А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 45
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 50
tr (тип.),нс 60
td(off) (тип.),нс 200
tf (тип.),нс 250
EON (тип.),мДж 3
EOFF (тип.),мДж 4.2
PD,Вт 250
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус ISOPLUS247
Datasheet
 
IXGR50N60B (565.6 Кб), 13.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGR50N60B IGBT-транзистор, 600 В, 75А (565.6 Кб), 13.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 520 		Дата публикации: 13.02.2012 11:52
Дата редактирования: 13.02.2012 11:53

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники