Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXSH45N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 45 90 2.5 38 29 440 700 2.9 22 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXST45N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 45 90 2.5 38 29 440 700 2.9 22 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXSK35N120AU1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 4 80 150 400 700 8 15 300 Да -55 ... 150 TO-264AA
IXSX35N120AU1 IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 4 80 150 400 700 8 15 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXSH35N120A IGBT-транзистор, 1200 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
 1200 35 90 4 80 150 400 700 2.5 15 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGK28N140B3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 28А IXYS IGBT
 1400 28 110 3 16 50 215 700 7.3 6.5 300 Да -55 ... 150 TO-264
IXGX28N140B3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 28А IXYS IGBT
 1400 28 110 3 16 50 215 700 7.3 6.5 300 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGH28N140B3H1 IGBT-транзистор, 1400 В, 28А IXYS IGBT
 1400 28 110 3 16 50 215 700 7.3 6.5 300 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGX120N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А IXYS IGBT
 1200 120 110 1.85 30 75 685 680 15 58 830 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK120N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 120А IXYS IGBT
 1200 120 110 1.85 30 75 685 680 15 58 830 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGN200N60A2 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, оптимизированный для частоты коммутации выше 5кГц IXYS IGBT
 600 100 110 1.2 60 60 290 660 3 12 700 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGN400N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 400А IXYS IGBT
 600 190 110 1.05 27 98 190 650 - - 830 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А IXYS IGBT
 1200 55 110 1.85 24 46 618 635 9.5 29 460 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGK55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А IXYS IGBT
 1200 55 110 1.85 24 46 618 635 9.5 29 460 Да -55 ... 150 TO-264
IXGR55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 30 110 2.35 24 46 618 635 9.5 29 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXBF32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 22 90 2.8 58 515 165 630 - - 160 Да -55 ... 150 ISOPLUS_i4
IXGA8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
 1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP8N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 16А IXYS IGBT
 1000 8 90 2.2 15 30 800 630 0.5 3.7 54 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXBT32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-268
IXBH32N300 Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) IXYS IGBT
 3000 32 110 2.8 58 515 165 630 - - 400 Да -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 3 4 5 6 7 8 9 10 11 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники