Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXGX55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А

 

Блок-схема

IXGX55N120A3H1, IGBT-транзистор, 1200 В, 55А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 55
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 1.85
td(on) (тип.),нс 24
tr (тип.),нс 46
td(off) (тип.),нс 618
tf (тип.),нс 635
EON (тип.),мДж 9.5
EOFF (тип.),мДж 29
PD,Вт 460
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус PLUS247
Datasheet
 
IXGx55N120A3H1 (122.7 Кб), 15.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGx55N120A3H1 IGBT-транзистор, 1200 В, 55А (122.7 Кб), 15.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 927 		Дата публикации: 15.02.2012 13:29
Дата редактирования: 15.02.2012 13:30

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники