Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
STGB10NB40LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.2 1300 270 8000 1400 2.4 5 150 Нет -55 ... 175 D2-PAK
STGP10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 TO-220
STGB10NB37LZ IGBT-транзистор 10 А, 410 В, внутренне-замкнутый STMicroelectronics IGBT
410 10 100 1.3 1300 270 8000 1400 2.4 5 125 Нет -65 ... 175 D2-PAK
IXSM35N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 35 90 3.5 100 200 400 1300 4.2 15 300 Нет -55 ... 150 TO-204AE
IXSH35N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 70А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 35 90 3.5 100 200 400 1300 4.2 15 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGA12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGP12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGH12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 2.2 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGH12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGP12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGP12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGX82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGK82N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 82А IXYS IGBT
1200 82 110 1.83 32 77 340 1250 6.7 22.5 1250 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGH12N100U1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 3.5 100 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGT32N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 32А IXYS IGBT
1200 32 110 2.35 39 200 140 1240 - - 300 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH32N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 32А IXYS IGBT
1200 32 110 2.35 39 200 140 1240 - - 300 Нет -55 ... 150 TO-247
STGE200NB60S N-канальный IGBT-транзистор на 600 В, 150 А семейства PowerMESH™ STMicroelectronics IGBT
600 150 100 1.6 64 112 2400 1230 11.7 59 600 Нет -55 ... -150 ISOTOP
IXGH20N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 20А IXYS IGBT
1200 20 110 2.3 16 50 310 1220 5.53 10.1 180 Нет -55 ... 150 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019