+ NGTB15N120IHLWG, IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

NGTB15N120IHLWG IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей

 

Блок-схема

NGTB15N120IHLWG, IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 15
Рабочий ток: При TC,°C 100
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 165
tr (тип.),нс 200
td(off) (тип.),нс 180
tf (тип.),нс 260
EON (тип.),мДж 0.56
EOFF (тип.),мДж 0.95
PD,Вт 156
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-247

Общее описание

Преимущества:

  • Низкие потери проводимости
  • Снижение рассеиваемой мощности системы

Отличительные особенности:

  • Напряжение коллектор-эмиттер VCES: 1200 В
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCEsat: 1.8 В (тип.)
  • Постоянный ток коллектора IC: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
  • Импульсный ток коллектора ICM: 120 А
  • Задержка выключения td(off): 165 нс (тип.) (TJ=25°C) / 180 нс (тип.) (TJ=125°C)
  • Время выключения tf: 200 нс (тип.) (TJ=25°C) / 260 нс (тип.) (TJ=125°C)
  • Прямой ток диода IF: 30 А (TC=25°C) / 15 А (TC=100°C)
  • Падение прямого напряжения на диоде VF: 1.4 В
  • Рассеиваемая мощность PD: 156 Вт (TC=25°C) / 62.5 Вт (TC=100°C)
  • Рабочая температура перехода TJ: -55…+150°C
  • Корпус TO-247 без содержания свинца

Область применения:

  • Индукционные нагреватели
  • Бытовая техника
  • Коммутирующие схемы с мягким переключением
Datasheet
 
NGTB15N120IHLWG (167.7 Кб), 05.05.2014

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

NGTB15N120IHLWG IGBT-транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и током коллектора 15 А, выполненный по технологии FieldStop 1, для индукционных нагревателей (167.7 Кб), 05.05.2014



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1009 		Дата публикации: 05.05.2014 14:29
Дата редактирования: 05.05.2014 14:31

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники