Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

T1800GB45A Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack

 

Блок-схема

T1800GB45A, Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 4500
Рабочий ток: IC,А 1800
VCE(sat),В 2.8
td(on) (тип.),нс 1600
tr (тип.),нс 3300
td(off) (тип.),нс 4000
tf (тип.),нс 2000
EON (тип.),мДж 12600
EOFF (тип.),мДж 9500
PD,Вт 13700
FWD Да
TA,°C от -40 до 125
Корпус Press-Pack Capsule W45
Datasheet
 
T1800GB45A (498.9 Кб), 21.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

T1800GB45A Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack (498.9 Кб), 21.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1448 		Дата публикации: 21.02.2012 10:25
Дата редактирования: 21.02.2012 10:26

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники