Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXXH75N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц

 

Блок-схема

IXXH75N60C3D1, IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 75
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 1.85
td(on) (тип.),нс 33
tr (тип.),нс 72
td(off) (тип.),нс 105
tf (тип.),нс 80
EON (тип.),мДж 2.5
EOFF (тип.),мДж 1.07
PD,Вт 750
FWD Да
TA,°C от -55 до 175
Корпус TO-247AD
Datasheet
 
IXXH75N60C3D1 (188.4 Кб), 09.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXXH75N60C3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 75 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 20...60 кГц (188.4 Кб), 09.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 780 		Дата публикации: 09.02.2012 11:11
Дата редактирования: 09.02.2012 11:27

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники