Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXSQ10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А

 

Блок-схема

IXSQ10N60B2D1, Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 600
Рабочий ток: IC,А 10
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat),В 2.5
td(on) (тип.),нс 30
tr (тип.),нс 30
td(off) (тип.),нс 260
tf (тип.),нс 270
EON (тип.),мДж 0.32
EOFF (тип.),мДж 0.79
PD,Вт 100
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус TO-3P
Datasheet
 
IXSx10N60B2D1 (610.4 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXSx10N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 20А (610.4 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 817 		Дата публикации: 16.02.2012 12:35
Дата редактирования: 16.02.2012 12:38

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники