Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXER20N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER20N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 36А, низкое напряжение насыщения IXYS IGBT
 1200 19 90 2.4 205 105 320 75 4.1 1.5 130 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER35N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А IXYS IGBT
 1200 32 90 2.2 85 50 440 50 5.4 2.6 200 Да -55 ... 150 ISOPLUS247
IXER60N120 IGBT-транзистор, 1200 В, 95А, низкое напряжение насыщения, технология NPT IXYS IGBT
 1200 60 90 2.1 80 50 680 30 7.2 4.8 375 Нет -55 ... 150 ISOPLUS247
IXGA12N100 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 6 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100A Высокоскоростной IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 900 950 1.1 4 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100AU1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 4 100 200 950 1250 1.1 8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA12N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 24А IXYS IGBT
 1000 12 90 3.5 100 200 900 1250 1.1 10 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA12N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 24А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 15 30 700 1050 0.5 7.7 75 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
 1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N60B IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 200 200 0.15 0.8 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA12N60C IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.15 0.27 100 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA12N60CD1 IGBT-транзистор, 600 В, 24 А IXYS IGBT
 600 12 90 2.1 20 20 85 85 0.5 0.27 100 Да -55 ... 150 TO-263
IXGA14N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 28А IXYS IGBT
 1200 14 110 2.7 15 30 610 600 0.8 4.85 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA15N100C IGBT-транзистор, 1000 В, 30А IXYS IGBT
 1000 15 90 3.5 25 18 220 210 0.6 1.85 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA15N120B IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.2 25 18 300 360 0.6 3.5 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA15N120B2 IGBT-транзистор, 1200 В, 30А, частота коммутации 10...25 кГц IXYS IGBT
 1200 15 90 3.5 25 18 260 305 0.6 2.8 170 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA15N120C IGBT-транзистор, 1200 В, 30А IXYS IGBT
 1200 15 90 3.8 25 18 220 250 0.6 2.1 200 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA16N60B2 IGBT-транзистор, 600 В, 16 А IXYS IGBT
 600 16 110 2.3 17 20 140 125 0.26 0.38 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGA16N60B2D1 Высокоскоростной IGBT-транзистор, 600 В, 16 А IXYS IGBT
 600 16 110 2.3 17 20 140 125 0.26 0.38 150 Да -55 ... 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники