Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXA33IF1200HB | IGBT-транзистор, 1200 В, 58 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 34 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 2.5 | 3 | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA37IF1200HJ | IGBT-транзистор, 1200 В, 58 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 37 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 3.8 | 4.1 | 195 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA40PG1200DHGLB | IGBT-транзистор, 1200 В, 63 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 45 | 80 | 1.85 | 70 | 40 | 250 | 100 | 3.8 | 4.1 | 230 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA45IF1200HB | IGBT-транзистор, 1200 В, 78 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 45 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 3.8 | 4.1 | 325 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA4IF1200UC | IGBT-транзистор, 1200 В, 5 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 5 | 100 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 0.4 | 0.3 | 45 | Да | -55 ... 150 |
TO-252 |
| IXA55I1200HJ | IGBT-транзистор, 1200 В, 84 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 54 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 4.5 | 5.5 | 290 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXA60IF1200NA | IGBT-транзистор, 1200 В, 88 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 56 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 4.5 | 5.5 | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXA70I1200NA | IGBT-транзистор, 1200 В, 100 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through) |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 65 | 90 | 1.8 | 70 | 40 | 250 | 100 | 4.5 | 5.5 | 350 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBF12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 90 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 100 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 15А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 15 | 90 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 110 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF32N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 22А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 22 | 90 | 2.8 | 58 | 515 | 165 | 630 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF40N160 | Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 16 | 90 | 6.2 | 200 | 60 | 300 | 40 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBF55N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 28А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 28 | 110 | 2.7 | 52 | 585 | 215 | 260 | - | - | 290 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBF9N160G | Высоковольтный IGBT транзистор 1600В, 7А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 4 | 90 | 4.9 | 140 | 200 | 120 | 70 | - | - | 70 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH10N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 3.4 | 35 | 28 | 600 | 1200 | 0.7 | 8 | 140 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH12N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 12А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 12 | 110 | 2.8 | 65 | 395 | 175 | 530 | - | - | 160 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH16N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 16 | 90 | 3.3 | 37 | 183 | 235 | 705 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH16N170A | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 16А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 10 | 90 | 6 | 15 | 28 | 220 | 150 | 2 | 2.6 | 150 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH20N300 | Высоковольтный IGBT транзистор 3000В, 20А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
3000 | 20 | 110 | 2.7 | 68 | 540 | 300 | 395 | - | - | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXBH24N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 24А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 24 | 110 | 2.5 | 35 | 155 | 325 | 960 | 5 | 6 | 250 | Да | -55 ... 150 |
|
