Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXER35N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А

 

Блок-схема

IXER35N120D1, IGBT-транзистор, 1200 В, 50А
Увеличить

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES,В 1200
Рабочий ток: IC,А 32
Рабочий ток: При TC,°C 90
VCE(sat),В 2.2
td(on) (тип.),нс 85
tr (тип.),нс 50
td(off) (тип.),нс 440
tf (тип.),нс 50
EON (тип.),мДж 5.4
EOFF (тип.),мДж 2.6
PD,Вт 200
FWD Да
TA,°C от -55 до 150
Корпус ISOPLUS247
Datasheet
 
IXER35N120D1 (237.9 Кб), 16.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXER35N120D1 IGBT-транзистор, 1200 В, 50А (237.9 Кб), 16.02.2012



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1551 		Дата публикации: 16.02.2012 09:36
Дата редактирования: 16.02.2012 09:37

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники