IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц

 

Блок-схема

IXGN200N60B3, IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц

Группа компонентов

IGBT

Основные параметры

VCES 600
Рабочий ток: IC 200
Рабочий ток: При TC,°C 110
VCE(sat) 1.35
td(on) (тип.),нс 42
tr (тип.),нс 80
td(off) (тип.),нс 430
tf (тип.),нс 300
EON (тип.),мДж 2.4
EOFF (тип.),мДж 4.2
PD,Вт 830
FWD Нет
TA,°C от -55 до 150
Корпус SOT-227 B
Datasheet
 
IXGN200N60B3 (186.6 Кб), 14.02.2012

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXGN200N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 200А, частота коммутации 5...40 кГц (186.6 Кб), 14.02.2012




Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
Кол-во просмотров: 1000
Дата публикации: 14.02.2012 11:08
Дата редактирования: 14.02.2012 11:10


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019