Компоненты группы IGBT-транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | VCES В |
Рабочий ток | VCE(sat) В |
td(on) (тип.) нс |
tr (тип.) нс |
td(off) (тип.) нс |
tf (тип.) нс |
EON (тип.) мДж |
EOFF (тип.) мДж |
PD Вт |
FWD | TA °C |
Корпус | ||
| IC А |
При TC °C |
|||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXGK75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 75А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 75 | 110 | 2.7 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 780 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGP12N120A3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 12А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 12 | 90 | 2.4 | 35 | 167 | 70 | 1475 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
TO-220AB |
| MMIX1G75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 65 | 90 | 2.5 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 430 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGA12N120A3 | IGBT-транзистор, 1200 В, 12А |
|
IXYS |
IGBT |
1200 | 12 | 90 | 2.4 | 35 | 167 | 70 | 1475 | - | - | 100 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXBH42N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 42 | 90 | 2.8 | 36 | 188 | 330 | 740 | - | - | 360 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGL75N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 65А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 65 | 90 | 2.5 | 55 | 225 | 270 | 455 | - | - | 430 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGP18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
TO-220 |
| STGP14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 14 | - | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 95 | Да | -40 ... -175 |
TO-220 |
| IXBT42N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 42А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 42 | 90 | 2.8 | 36 | 188 | 330 | 740 | - | - | 360 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGR50N160H1 | IGBT-транзистор, 1500 В, 36А, низкое напряжение насыщения, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 36 | 110 | 1.95 | 52 | 140 | 240 | 4600 | - | - | 240 | Да | -55 ... 150 |
|
| IXGV25N250S | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGD18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 25 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 125 | Нет | -55 ... 175 |
D-PAK |
| STGF14HF60KD | IGBT-транзистор на 600 В, 14 А с усиленной защитой от короткого замыкания |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
600 | 7 | 100 | 2.1 | - | - | - | - | - | - | 33 | Да | -40 ... -175 |
|
| IXGH25N160 | IGBT-транзистор, 1600 В, 75А, низкое напряжение насыщения, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 25 | 110 | 2.5 | 47 | 236 | 86 | 440 | - | - | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGT25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGB18N40LZ | IGBT-транзистор на 390 В, 30 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
390 | 30 | 100 | 1.3 | 650 | 3500 | 13500 | 5500 | - | - | 150 | Нет | -55 ... 175 |
D2-PAK |
| IXGT25N160 | IGBT-транзистор, 1600 В, 75А, низкое напряжение насыщения, технология NPT |
|
IXYS |
IGBT |
1600 | 25 | 110 | 2.5 | 47 | 236 | 86 | 440 | - | - | 300 | Нет | -55 ... 150 |
|
| IXGH25N250 | IGBT-транзистор высокого напряжения, 2500 В, 60А |
|
IXYS |
IGBT |
2500 | 25 | 110 | 2.9 | 68 | 233 | 209 | 200 | - | - | 250 | Нет | -55 ... 150 |
|
| STGWS38IH130D | Высокоскоростной IGBT-транзистор на 1300 В, 33 А |
|
STMicroelectronics |
IGBT |
1300 | 25 | - | 2.8 | - | - | - | - | - | - | 180 | Да | -55 ... -150 |
|
| IXBR42N170 | Высоковольтный IGBT транзистор 1700В, 32А с биполярной МОП-структурой (BIMOSFET) |
|
IXYS |
IGBT |
1700 | 32 | 90 | 2.9 | 36 | 188 | 330 | 740 | - | - | 200 | Да | -55 ... 150 |
|
