Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IKA08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 6.8 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP08N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.6 10 5 116 20 0.07 0.02 70 Да -40 ... 175 TO-220
IKA08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 6.8 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 31.2 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP08N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 8А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 11 100 1.65 11 5 115 15 0.07 0.03 70 Да -40 ... 175 TO-220
IKA15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 14 25 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP15N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 18 100 1.6 17 7 150 16 0.13 0.04 105 Да -40 ... 175 TO-220
IKA15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 14 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 33.3 Да -40 ... 175 TO-220FP
IKP15N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 30 25 1.65 17 7 160 10 0.12 0.05 105 Да -40 ... 175 TO-220
IKW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Да -40 ... 175 TO-220
IGW40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGP40N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 40 100 1.6 19 13 160 16 0.36 0.1 255 Нет -40 ... 175 TO-220
IKW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-247
IKP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 74 25 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Да -40 ... 175 TO-220
IGW40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-247
IGP40N65H5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 40А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 46 100 1.65 22 12 165 13 0.39 0.12 255 Нет -40 ... 175 TO-220
IXRA15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
 1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-263AB
IXRP15N120 IGBT транзистор ±1200В, 25А, блокировка напряжения обратной полярности IXYS IGBT
 1200 15 90 2.5 22 18 210 32 1.1 0.13 300 Да -55 ... 150 TO-220AB
IKW50N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 15А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 56 100 1.6 21 15 175 18 0.49 0.16 305 Да -40 ... 175 TO-247
IGW50N65F5 IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер 650 В, 50А, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5 Infineon Technologies IGBT
 650 56 100 1.6 21 15 175 18 0.49 0.16 145 Нет -40 ... 175 TO-247
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники