Компоненты группы IGBT-транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В
Рабочий ток VCE(sat)
В
td(on) (тип.)
нс
tr (тип.)
нс
td(off) (тип.)
нс
tf (тип.)
нс
EON (тип.)
мДж
EOFF (тип.)
мДж
PD
Вт
FWD TA
°C
Корпус
IC
А
При TC
°C
                                     
IXSM45N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 45 90 2.7 100 300 550 2200 5.4 25 300 Нет -55 ... 150 TO-204AE
IXSH45N100 IGBT-транзистор, 1000 В, 75А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 45 90 2.7 100 300 550 2200 5.4 25 300 Нет -55 ... 150 TO-247AD
T0800EB45G Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 800 - 2.8 2000 3000 1600 2100 4100 4500 6600 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
T0800TB45E Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 800 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 800 - 2.8 2000 4000 4500 2100 7000 4300 6400 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
T1800GB45A Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 1800 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 1800 - 2.8 1600 3300 4000 2000 12600 9500 13700 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W45
IXSN35N100U1 IGBT-транзистор, 1000 В, 38А, работа в режиме короткого замыкания IXYS IGBT
600 25 90 3.5 80 150 800 2000 3.2 6.8 205 Да -55 ... 150 SOT-227 B
T2400GB45E Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 2400 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 2400 - 2.8 1700 3800 6000 1900 15000 14000 19000 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W45
STGB20NB41LZ IGBT-транзистор на 410 В, 20 А STMicroelectronics IGBT
412 20 100 1.3 1000 220 12100 1600 5 12.9 200 Нет -55 ... 175 D2-PAK
IXGT40N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 75А IXYS IGBT
1200 40 110 2 19 36 730 1570 3.5 35 360 Нет -55 ... 150 TO-268
IXGH40N120A2 IGBT-транзистор, 1200 В, 75А IXYS IGBT
1200 40 110 2 19 36 730 1570 3.5 35 360 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGH20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-220
IXGA20N100A3 IGBT-транзистор, 1000 В, 20А IXYS IGBT
1000 20 90 2.1 37 125 80 1550 - - 150 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGN320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 170 110 1.05 62 77 330 1540 - - 735 Нет -55 ... 150 SOT-227 B
IXGX320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 PLUS247
IXGK320N60A3 IGBT-транзистор, 600 В, 320А IXYS IGBT
600 210 110 1.05 62 67 330 1540 - - 1000 Нет -55 ... 150 TO-264
T0600TB45A Высоковольтные IGBT транзисторы 4500В, 600 А с технологией Press-Pack IXYS IGBT
4500 600 - 2.9 1400 2100 1200 1500 1800 2000 4800 Да -40 ... 125 Press-Pack Capsule W44
IXGH12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA12N120A3 IGBT-транзистор, 1200 В, 12А IXYS IGBT
1200 12 90 2.4 35 167 70 1475 - - 100 Нет -55 ... 150 TO-263
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 50 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019