Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы IGBT-транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
VCES (В)
Рабочий ток: IC (А)
Рабочий ток: При TC (°C)
VCE(sat) (В)
td(on) (тип.) (нс)
tr (тип.) (нс)
td(off) (тип.) (нс)
tf (тип.) (нс)
EON (тип.) (мДж)
EOFF (тип.) (мДж)
PD (Вт)
FWD
TA (°C) От до
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент VCES
В		 Рабочий ток VCE(sat)
В		 td(on) (тип.)
нс		 tr (тип.)
нс		 td(off) (тип.)
нс		 tf (тип.)
нс		 EON (тип.)
мДж		 EOFF (тип.)
мДж		 PD
Вт		 FWD TA
°C		 Корпус
IC
А		 При TC
°C
                                     
IXGK120N60B3 IGBT-транзистор, 600 В, 120А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 120 110 1.5 38 85 290 230 4 4.7 780 Нет -55 ... 150 TO-264
IXGX72N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 72А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.5 29 34 228 142 2.7 2.2 540 Да -55 ... 150 PLUS247
IXGK72N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 72А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 72 110 1.5 29 34 228 142 2.7 2.2 540 Да -55 ... 150 TO-264
IXGH36N60B3D4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 36 110 1.5 19 26 180 170 0.9 1.5 250 Да -55 ... 150 TO-247AD
MMIX1X100N60B3H1 IGBT-транзистор, 600 В, 60 А, технология XPT (Extreme Light Punch Through), частота коммутации 10...30 кГц IXYS IGBT
 600 60 90 1.5 32 60 150 200 2.3 2.8 250 Да -55 ... 150 SMD
IXGH30N60B4 IGBT-транзистор, 600 В, 30А IXYS IGBT
 600 30 110 1.5 20 33 228 223 0.75 1.5 190 Нет -55 ... 150 TO-247AD
IXGP30N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 30А IXYS IGBT
 600 30 110 1.5 20 33 288 223 0.75 1.5 190 Да -55 ... 150 TO-220
IXGH28N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 28А IXYS IGBT
 600 28 110 1.5 19 26 180 170 0.6 1 190 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH36N60B3C1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 36 110 1.5 20 27 180 170 0.43 1.5 250 Да -55 ... 150 TO-247
GT40QR21 Силовой IGBT-транзистор с рабочим напряжением до 1200 В и током до 40 А Toshiba IGBT
 1200 40 25 1.5 0.00018 0.00012 0.0004 0.0002 - 0.16 230 Да -55 ... 175 TO-3P
IXGH56N60B3D1 IGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 56 110 1.49 26 37 220 165 2.34 2.2 330 Да -55 ... 150 TO-247AD
IXGH56N60B3 IGBIGBT-транзистор, 600 В, 56А, частота коммутации 5...40 кГц IXYS IGBT
 600 56 110 1.49 26 37 220 165 2.34 2.2 330 Нет -55 ... 150 TO-247
NGTB50N60FWG IGBT транзистор с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора до 50 A ON Semiconductor IGBT
 600 50 100 1.45 117 43 285 105 1.1 1.2 223 Да -55 ... 150 TO-247
IXGQ50N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Да -55 ... 150 TO-3P
IXGH50N60B4D1 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Да -55 ... 150 TO-247
IXGH50N60B4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Нет -55 ... 150 TO-247
IXGP50N60B4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Нет -55 ... 150 TO-220AB
IXGA50N60B4 IGBT-транзистор, 600 В, 36А IXYS IGBT
 600 36 110 1.43 31 45 280 220 0.94 1.9 290 Нет -55 ... 150 TO-263
IXGH120N30B3 IGBT-транзистор, 300 В, 120 А, частота коммутации 10...50 кГц IXYS IGBT
 300 120 110 1.42 21 30 106 250 - - 540 Нет -55 ... 150 TO-247
IKW75N65ES5 IGBT-транзистор семейства TRENCHSTOP™ 5 S5 на 650 В с быстровосстанавливающимся встречно-параллельным диодом, рассчитанным на весь диапазон рабочих токов Infineon Technologies IGBT
 650 80 100 1.42 40 46 144 41 2.4 0.95 395 Да -40 ... 175 TO-247
Страницы: предыдущая 1 ... 42 43 44 45 46 47 48 49 50 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники